Filamento di tungsteno SEM | SEM3300

Microscopio elettronico a scansione a emissione di campo con fascio ionico focalizzato Ga+ IL Microscopio elettronico a scansione a fascio ionico focalizzato (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Dispone di una colonna a fascio ionico focalizzato per nanoanalisi e preparazione di campioni. Utilizza la tecnologia ottica elettronica "super tunnel", bassa aberrazione e un design dell'obiettivo non magnetico, e dispone della funzione "bassa tensione, alta risoluzione" per garantire le sue capacità analitiche su scala nanometrica. Le colonne ioniche consentono l'utilizzo di una sorgente di ioni metallici liquidi Ga+ con fasci ionici altamente stabili e di alta qualità per garantire capacità di nanofabbricazione. Il DB550 è una workstation all-in-one per l'analisi e la fabbricazione di nanoparticelle, dotata di un nanomanipolatore integrato, un sistema di iniezione di gas e un software con interfaccia grafica intuitiva.

Ad alta velocità Emissione di campo completamente automatizzata Microscopio elettronico a scansione Postazione di lavoro CIQTEK HEM6000 tecnologie delle strutture quali il cannone elettronico a corrente a fascio largo ad alta luminosità, il sistema di deflessione del fascio elettronico ad alta velocità, la decelerazione dello stadio di campionamento ad alta tensione, l'asse ottico dinamico e l'obiettivo combinato elettromagnetico ed elettrostatico a immersione per ottenere un'acquisizione di immagini ad alta velocità garantendo al contempo una risoluzione su scala nanometrica. Il processo di funzionamento automatizzato è progettato per applicazioni come un flusso di lavoro di imaging ad alta risoluzione su ampie aree più efficiente e intelligente. La sua velocità di imaging è oltre cinque volte superiore a quella di un microscopio elettronico a scansione a emissione di campo convenzionale (FESEM).

Microscopia elettronica a scansione a emissione di campo ad altissima risoluzione (FESEM) IL CIQTEK SEM5000X è un FESEM ad altissima risoluzione con un design ottimizzato della colonna ottica elettronica, che riduce le aberrazioni complessive del 30% e raggiunge una risoluzione ultraelevata di 0,6 nm a 15 kV e 1,0 nm a 1 kV. La sua elevata risoluzione e stabilità lo rendono vantaggioso nella ricerca avanzata sui materiali nanostrutturali, nonché nello sviluppo e nella produzione di chip IC semiconduttori a nodo ad alta tecnologia.

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