fib sem microscopy

FIB-SEM | DB550

Microscopio elettronico a scansione a emissione di campo (FE-SEM) con colonne a fascio ionico focalizzato (FIB)

Il microscopio elettronico a scansione a fascio ionico focalizzato CIQTEK DB550 (FIB-SEM) è dotato di una colonna a fascio ionico focalizzato per la nanoanalisi e la preparazione dei campioni. Utilizza la tecnologia ottica elettronica "super tunnel", bassa aberrazione e design dell'obiettivo non magnetico e ha la funzione "bassa tensione, alta risoluzione" per garantire le sue capacità analitiche su scala nanometrica.

Le colonne ioniche facilitano una sorgente ionica di metallo liquido Ga+ con fasci ionici altamente stabili e di alta qualità per garantire capacità di nanofabbricazione. DB550 è una workstation di nano-analisi e fabbricazione all-in-one con un nano-manipolatore integrato, un sistema di iniezione del gas e un software GUI intuitivo.

FIB-SEM features

1. "Super Tunnel" tecnologia della colonna con ottica elettronica/decelerazione del fascio in colonna

Diminuisce l'effetto di carica spaziale, garantendo prestazioni di risoluzione a bassa tensione.

2. Senza crossover nel percorso del fascio di elettroni

Riduce efficacemente le aberrazioni dell'obiettivo e migliora la risoluzione.

3. Obiettivo composto elettromagnetico ed elettrostatico

Ridurre le aberrazioni, migliorare significativamente la risoluzione a basse tensioni e consentire l'osservazione di campioni magnetici.

4. Obiettivo a temperatura costante raffreddato ad acqua

Garantire la stabilità, l'affidabilità e la ripetibilità delle prestazioni dell'obiettivo.

5. Sistema di commutazione dell'apertura multiforo variabile mediante deflessione del raggio elettromagnetico

La commutazione automatica tra le aperture senza movimento meccanico consente il passaggio rapido tra le varie modalità di imaging.

Caratteristiche tecniche CIQTEK DB550 FIB-SEM

FIBSEM - Focused Ion Beam Column

Colonna Fascio ionico focalizzato (FIB)

Risoluzione: 3 nm@30 kV

Corrente sonda: da 1 pA a 65 nA

Intervallo di tensione di accelerazione: da 0,5 kV a 30 kV

Intervallo di scambio della sorgente ionica: ≥1000 ore

Stabilità: 72 ore di funzionamento ininterrotto


FIBSEM - Nano-manipulator

Nanomanipolatore

Camera montata internamente

Tre assi completamente piezoelettrici

Precisione del motore passo-passo ≤10 nm

Velocità massima di spostamento 2 mm/s

Sistema di controllo integrato


FIBSEM - Ion Beam-Electron Beam Collaboration

Collaborazione fascio ionico-fascio elettronico


FIBSEM - Gas Injection System

Sistema di iniezione del gas

Progettazione GIS unica

Varie fonti di precursori di gas disponibili

Distanza di inserimento dell'ago ≥35 mm

Ripetibilità del movimento ≤10 μm

Ripetibilità del controllo della temperatura di riscaldamento ≤0,1°C

Intervallo di riscaldamento: temperatura ambiente fino a 90°C (194°F)

Sistema di controllo integrato

Semiconduttore

Nell'industria dei semiconduttori, i chip IC possono riscontrare vari guasti. Vengono utilizzati vari metodi per analizzare i chip per migliorare l'affidabilità. In particolare, l'analisi con fascio ionico focalizzato (FIB) è una tecnica analitica affidabile.

Caratterizzazione dei campioni/Fabbricazione micro-nano/Analisi della sezione trasversale/Preparazione dei campioni TEM/Analisi dei guasti

Industria delle nuove energie

Osservazione e analisi di sezioni trasversali di materiali per la ricerca e lo sviluppo di processi.

Osservazione morfologica/Analisi delle dimensioni delle particelle/Analisi della sezione trasversale / Analisi della composizione e della fase/Analisi dei guasti del materiale della batteria agli ioni di litio/P campione TEMriparazione

Materiale ceramico

Analisi dei materiali: il sistema FIB-SEM può eseguire lavorazioni micro-nanografiche e imaging ad alta precisione di materiali ceramici, combinati con varie modalità di rilevamento del segnale come elettroni retrodiffusi (BSE), spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDX) , modello di diffrazione di elettroni retrodiffusi (EBSD) e spettrometria di massa di ioni secondari (SIMS), per studiare il materiale su scala da micro a nanometrica con spazio tridimensionale in profondità.

Materiale in lega

Per aumentare la resistenza, la durezza, la tenacità, ecc. dei metalli, altre sostanze come ceramica, metalli, fibre, ecc. vengono aggiunte al metallo utilizzando metodi come metallurgia, fusione, estrusione, ecc., che sono chiamate fasi rinforzate.

Il campione TEM preparato da un FIB-SEM viene utilizzato per osservare informazioni come fasi rinforzate e atomi di confine attraverso segnali elettronici trasmessi. I campioni TEM possono essere utilizzati per l'analisi della diffrazione di Kikuchi (TKD), l'analisi metallografica, l'analisi della composizione e il test in situ della sezione trasversale della lega.

ⶠInterfaccia utente grafica

FIB-SEM software

Piattaforma di interfaccia utente altamente integrata

Le funzioni di imaging ed elaborazione del microscopio SEM sono integrate in un'interfaccia utente complessiva, con riferimenti comparativi visualizzati a sinistra e a destra.

FIB-SEM software

Accessori hardware e interfacce utente sviluppati internamente come sistema di iniezione del gas e nano-manipolatore, design intuitivo del layout per un funzionamento facile da usare.

ⶠRivelatore Everhart-Thornley (ETD)


ⶠRilevatore di elettroni nell'obiettivo


ⶠRilevatore di elettroni retrodiffusi retrattile (BSED) *Opzionale


ⶠRivelatore per microscopia elettronica a trasmissione a scansione (STEM) *Opzionale

  • Scanning Transmission Electron Microscopy Detector (STEM)


ⶠBlocco di carico per lo scambio dei campioni

Ridurre efficacemente la contaminazione della camera Design della guida lineare, apertura e chiusura a cassetto.

  • Specimen Exchange Loadlock


ⶠProgressi nella microscopia elettronica CIQTEK - Altre opzioni

Spettrometria a dispersione di energia

  • Energy Dispersive Spectrometry

Catholuminescenza

  • sem image analysis -Catholuminescence
  • sem image analysis - Catholuminescence

EBSD

  • sem EBSD
  • sem EBSD

Specifiche CIQTEK FIB-SEM DB550
Ottica elettronica Tipo di pistola elettronica Cannone elettronico ad emissione di campo Schottky ad alta luminosità
Risoluzione 0,9 nm@15 kV; 1,6 nm@1 kV
Tensione di accelerazione Da 0,02 kV a 30 kV
Sistema a fascio ionico Tipo di sorgente ionica Gallio
Risoluzione 3 nm@30 kV
Tensione di accelerazione Da 0,5 kV a 30 kV
Camera dei campioni Sistema di vuoto Controllo completamente automatico, sistema di vuoto senza olio
Fotocamere

Tre fotocamere

(Navigazione ottica x1 + monitor camera x2)

Tipo di fase Piano portacampioni eucentrico meccanico motorizzato a 5 assi
Intervallo di livelli

X=110 mm, Y=110 mm, Z=65 mm

T: -10°~+70°, R:360°

Rivelatori ed estensioni SEM Norma

Rilevatore di elettroni nell'obiettivo

Rivelatore Everhart-Thornley (ETD)

Facoltativo

Rivelatore retrattile di elettroni retrodiffusi (BSED)

Rivelatore retrattile per microscopia elettronica a trasmissione a scansione (STEM)

Spettrometro a dispersione di energia (EDS/EDX)

Modello di diffrazione della retrodiffusione elettronica (EBSD)

Nanomanipolatore

Sistema di iniezione del gas

Pulitore al plasma

Blocco di carico per lo scambio dei campioni

Pannello di controllo con trackball e manopola

Interfaccia utente Lingue Inglese
Sistema operativo Finestre
Navigazione Navigazione ottica, Navigazione rapida gestuale
Funzioni automatiche Luminosità e contrasto automatici, Messa a fuoco automatica, Stigmatizzatore automatico
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