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FIB-SEM | DB550

Microscopio elettronico a scansione a emissione di campo con fascio ionico focalizzato Ga+

IL Microscopio elettronico a scansione a fascio ionico focalizzato (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Dispone di una colonna a fascio ionico focalizzato per nanoanalisi e preparazione di campioni. Utilizza la tecnologia ottica elettronica "super tunnel", bassa aberrazione e un design dell'obiettivo non magnetico, e dispone della funzione "bassa tensione, alta risoluzione" per garantire le sue capacità analitiche su scala nanometrica.

Le colonne ioniche consentono l'utilizzo di una sorgente di ioni metallici liquidi Ga+ con fasci ionici altamente stabili e di alta qualità per garantire capacità di nanofabbricazione. Il DB550 è una workstation all-in-one per l'analisi e la fabbricazione di nanoparticelle, dotata di un nanomanipolatore integrato, un sistema di iniezione di gas e un software con interfaccia grafica intuitiva.

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FIB-SEM features

1. "Super Tunnel " tecnologia della colonna ottica elettronica/decelerazione del fascio in colonna

Riduce l'effetto di carica spaziale, garantendo prestazioni di risoluzione a bassa tensione.

2. Senza crossover nel percorso del fascio di elettroni

Riduce efficacemente le aberrazioni delle lenti e migliora la risoluzione.

3. Obiettivo composto elettromagnetico ed elettrostatico

Riducono le aberrazioni, migliorano significativamente la risoluzione a basse tensioni e consentono l'osservazione di campioni magnetici.

4. Obiettivo a temperatura costante raffreddato ad acqua

Garantire la stabilità, l'affidabilità e la ripetibilità delle prestazioni delle lenti dell'obiettivo.

5. Sistema di commutazione ad apertura multiforo variabile mediante deflessione del fascio elettromagnetico

La commutazione automatica tra le aperture senza movimento meccanico consente un rapido passaggio tra diverse modalità di acquisizione immagini.

Caratteristiche tecniche principali del CIQTEK DB550 FIB-SEM

FIBSEM - Focused Ion Beam Column

Colonna a fascio ionico focalizzato (FIB)

Risoluzione: 3 nm a 30 kV

Corrente di sonda: da 1 pA a 65 nA

Intervallo di tensione di accelerazione: da 0,5 kV a 30 kV

Intervallo di cambio della sorgente ionica: ≥1000 ore

Stabilità: 72 ore di funzionamento ininterrotto


FIBSEM - Nano-manipulator

Nano-manipolatore

Camera montata internamente

Azionamento piezoelettrico a tre assi

Precisione del motore passo-passo ≤10 nm

Velocità massima di spostamento 2 mm/s

Sistema di controllo integrato


FIBSEM - Ion Beam-Electron Beam Collaboration

Collaborazione fascio ionico-fascio di elettroni


FIBSEM - Gas Injection System

Sistema di iniezione del gas

Progettazione GIS singola

Diverse fonti di precursori di gas disponibili

Distanza di inserimento dell'ago ≥35 mm

Ripetibilità del movimento ≤10 μm

Ripetibilità del controllo della temperatura di riscaldamento ≤0,1°C

Intervallo di riscaldamento: da temperatura ambiente a 90°C (194 °F )

Sistema di controllo integrato

>> Semiconduttore

Nell'industria dei semiconduttori, i chip dei circuiti integrati possono presentare diversi tipi di guasti. Diversi metodi vengono utilizzati per analizzare i chip e migliorarne l'affidabilità. In particolare, l'analisi con fascio ionico focalizzato (FIB) è una tecnica analitica affidabile.

Caratterizzazione del campione / Fabbricazione micro-nano / Analisi della sezione trasversale / Preparazione del campione TEM / Analisi dei guasti

>> Nuova industria energetica

Osservazione e analisi delle sezioni trasversali dei materiali per la ricerca e lo sviluppo dei processi.

Osservazione della morfologia / Analisi delle dimensioni delle particelle / Analisi della sezione trasversale / Analisi di composizione e fase / Analisi dei guasti del materiale della batteria agli ioni di litio / Campione TEM P risarcimento

>> Materiale ceramico

Analisi dei materiali: il sistema FIB-SEM può eseguire lavorazioni e immagini micro-nano ad alta precisione di materiali ceramici, in combinazione con varie modalità di rilevamento del segnale, quali elettroni retrodiffusi (BSE), spettroscopia a raggi X a dispersione di energia (EDX), modello di diffrazione di elettroni retrodiffusi (EBSD) e spettrometria di massa a ioni secondari (SIMS), per studiare il materiale in scala micro-nano con spazio tridimensionale in profondità.

>> Materiale in lega

Per aumentare la resistenza, la durezza, la tenacità, ecc. dei metalli, vengono aggiunte al metallo altre sostanze come ceramiche, metalli, fibre, ecc., utilizzando metodi quali metallurgia, fusione, estrusione, ecc., che vengono chiamate fasi rinforzate.

I campioni TEM preparati da un FIB-SEM vengono utilizzati per osservare informazioni come fasi rinforzate e atomi di confine attraverso segnali elettronici trasmessi. I campioni TEM possono essere utilizzati per analisi di diffrazione di Kikuchi in trasmissione (TKD), analisi metallografiche, analisi composizionali e test in situ della sezione trasversale della lega.

▶ Interfaccia utente grafica

FIB-SEM software

Piattaforma di interfaccia utente altamente integrata

Le funzioni di elaborazione e imaging del microscopio SEM sono integrate in un'interfaccia utente complessiva, con riferimenti comparativi visualizzati a sinistra e a destra.

FIB-SEM software

Accessori hardware e interfacce utente sviluppati internamente, come il sistema di iniezione del gas e il nanomanipolatore, progettazione intuitiva del layout per un funzionamento semplice da usare.

▶ Rivelatore Everhart-Thornley (ETD)

▶ Rilevatore di elettroni in-lens

▶ Rilevatore di elettroni retrodiffusi retrattile (BSED) *Opzionale

▶ Rilevatore di microscopia elettronica a trasmissione a scansione (STEM) *Opzionale

▶ Carico di scambio di campioni

Riduce efficacemente la contaminazione della camera. Design con guida lineare, apertura e chiusura a cassetto.

▶ Progressi nella microscopia elettronica CIQTEK: più opzioni

>> Spettrometria a dispersione di energia

>> Catoluminescenza

>> EBSD

Specifiche CIQTEK FIB-SEM DB550
Ottica elettronica Tipo di cannone elettronico Cannone elettronico a emissione di campo Schottky ad alta luminosità
Risoluzione 0,9 nm a 15 kV; 1,6 nm a 1 kV
Tensione di accelerazione Da 0,02 kV a 30 kV
Sistema a fascio ionico Tipo di sorgente ionica Gallio
Risoluzione 3 nm a 30 kV
Tensione di accelerazione Da 0,5 kV a 30 kV
Camera per campioni Sistema di vuoto Controllo completamente automatico, sistema di vuoto senza olio
Telecamere

Tre telecamere

(Navigazione ottica x1 + monitor della camera x2)

Tipo di fase Tavolino portacampioni eucentrico meccanico motorizzato a 5 assi
Gamma di palcoscenici

X=110 mm, Y=110 mm, Z=65 mm

Temperatura: -10°~+70°, Temperatura: 360°

Rilevatori ed estensioni SEM Standard

Rilevatore di elettroni in-lens

Rivelatore Everhart-Thornley (ETD)

Opzionale

Rilevatore di elettroni retrodiffusi retrattile (BSED)

Rilevatore di microscopia elettronica a trasmissione a scansione retrattile (STEM)

Spettrometro a dispersione di energia (EDS/EDX)

Modello di diffrazione della retrodiffusione degli elettroni (EBSD)

Nano-manipolatore

Sistema di iniezione del gas

Pulitore al plasma

Carico di scambio di campioni

Pannello di controllo con trackball e manopola

Interfaccia utente Lingue Inglese
Sistema operativo Finestre
Navigazione Navigazione ottica, navigazione rapida tramite gesti
Funzioni automatiche Luminosità e contrasto automatici, messa a fuoco automatica, stigmatizzatore automatico
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