CIQTEK parteciperà all'ISTFA 2026 negli USA con soluzioni di microscopia elettronica per l'analisi dei guasti
CIQTEK parteciperà all'ISTFA 2026 negli USA con soluzioni di microscopia elettronica per l'analisi dei guasti
September 29, 2026
CIQTEK parteciperà a ISTFA 2026, il 52° Simposio Internazionale per l'Analisi dei Guasti e dei Test, che si terrà dal 4 all'8 ottobre a San Antonio, Texas.
Venite a trovarci allo Stand #317 per esplorare le soluzioni SEM e FIB-SEM di CIQTEK per l'analisi dei guasti nei semiconduttori, la caratterizzazione dei difetti e la microscopia elettronica avanzata. Il nostro Team di Microscopia Elettronica degli Stati Uniti, che include esperti EM Solution Manager, sarà presente in loco per discutere le vostre applicazioni e aiutarvi a identificare le giuste soluzioni di microscopia per il vostro laboratorio.
Incontrate la comunità dell'analisi dei guasti all'ISTFA 2026
Organizzato da ASM International, ISTFA è un evento internazionale leader per i test e l'analisi dei guasti nella microelettronica, che riunisce ingegneri, ricercatori, professionisti di laboratorio e fornitori di tecnologia dell'industria dei semiconduttori.
La conferenza si concentra sulle sfide del mondo reale nell'analisi dei guasti, nella caratterizzazione dei dispositivi, nella microscopia, nella localizzazione dei difetti, nell'affidabilità e nelle tecnologie correlate.
SEM per l'analisi dei guasti nei semiconduttori
Poiché i dispositivi a semiconduttore diventano sempre più piccoli e complessi, l'analisi dei guasti richiede un'imaging ad alta risoluzione e informazioni affidabili da strutture sempre più sottili.
Le nostre soluzioni SEM possono supportare applicazioni come:
Ispezione di dispositivi a semiconduttore e wafer
Analisi dei difetti superficiali e della morfologia
Imaging a bassa tensione (low-kV) ad alta risoluzione
Imaging BSE per il contrasto dei materiali
Analisi di particelle e contaminazioni
Caratterizzazione di componenti elettronici e packaging
L'imaging SEM a bassa tensione (low-kV) è particolarmente prezioso quando si esaminano strutture superficiali sottili e caratteristiche sensibili. Combinato con opzioni di rilevamento flessibili e imaging BSE, aiuta i ricercatori a ottenere informazioni sia strutturali che materiali da campioni complessi.
Andate più a fondo con il FIB-SEM
Non tutti i guasti possono essere compresi dalla superficie.
Per difetti sepolti, interfacce e strutture interne, il FIB-SEM combina l'elaborazione a fascio ionico focalizzato con l'imaging SEM ad alta risoluzione, consentendo la preparazione di sezioni trasversali mirate e l'analisi all'interno dello stesso sistema.
I sistemi DB550 FIB-SEM di CIQTEK supportano applicazioni che includono sezionamento specifico per sito, indagine sui difetti interni, analisi di strutture multistrato, caratterizzazione delle interfacce e preparazione avanzata dei campioni.
Ciò offre ai team di analisi dei guasti un modo potente per passare dall'individuazione di un problema all'indagine su ciò che sta accadendo sotto la superficie.
Parla con il nostro team EM statunitense allo stand n. 317
Scegliere il microscopio elettronico giusto non riguarda solo le specifiche. Il tipo di campione, i requisiti di imaging, il throughput, il flusso di lavoro, la capacità della camera, i rilevatori e le applicazioni future sono tutti fattori importanti.
Ecco perché il nostro team di microscopia elettronica statunitense sarà presente a ISTFA 2026, con esperti responsabili delle soluzioni EM disponibili per rispondere a domande tecniche e discutere le tue applicazioni specifiche.
Che tu stia lavorando su analisi dei guasti dei semiconduttori, ispezione dei wafer, imaging a basso kV, contrasto dei materiali, analisi della sezione trasversale o flussi di lavoro FIB-SEM, saremo lieti di parlarne.
Data: 4-8 ottobre 2026 Luogo: San Antonio, Texas, USA Stand CIQTEK: #317
Passa allo stand n. 317 e incontra il team EM statunitense di CIQTEK. Ci vediamo a ISTFA 2026!
Ga + Microscopio elettronico a scansione a emissione di campo con fascio ionico focalizzato IL Microscopio elettronico a scansione a fascio ionico focalizzato (FIB-SEM) CIQTEK DB550 Dispone di una colonna a fascio ionico focalizzato per nanoanalisi e preparazione di campioni. Utilizza la tecnologia ottica elettronica "super tunnel", bassa aberrazione e design dell'obiettivo non magnetico, e presenta la caratteristica "bassa tensione, alta risoluzione" per garantire le sue capacità analitiche su scala nanometrica. Le colonne ioniche facilitano un Ga + Sorgente di ioni di metallo liquido con fasci ionici altamente stabili e di alta qualità per garantire capacità di nanofabbricazione. Il DB550 è una workstation all-in-one per l'analisi e la fabbricazione di nanoparticelle, dotata di un nanomanipolatore integrato, un sistema di iniezione di gas e un software con interfaccia grafica intuitiva.
Ad alta velocità Emissione di campo completamente automatizzata Microscopio elettronico a scansione Postazione di lavoro CIQTEK HEM6000 tecnologie delle strutture quali il cannone elettronico a corrente a fascio largo ad alta luminosità, il sistema di deflessione del fascio elettronico ad alta velocità, la decelerazione dello stadio di campionamento ad alta tensione, l'asse ottico dinamico e l'obiettivo combinato elettromagnetico ed elettrostatico a immersione per ottenere un'acquisizione di immagini ad alta velocità garantendo al contempo una risoluzione su scala nanometrica. Il processo di funzionamento automatizzato è progettato per applicazioni come un flusso di lavoro di imaging ad alta risoluzione su ampie aree più efficiente e intelligente. La sua velocità di imaging è oltre cinque volte superiore a quella di un microscopio elettronico a scansione a emissione di campo convenzionale (FESEM).
Microscopia elettronica a scansione a emissione di campo ad altissima risoluzione (FESEM) IL CIQTEK SEM5000X è un FESEM ad altissima risoluzione con un design ottimizzato della colonna ottica elettronica, che riduce le aberrazioni complessive del 30% e raggiunge una risoluzione ultraelevata di 0,6 nm a 15 kV e 1,0 nm a 1 kV. La sua elevata risoluzione e stabilità lo rendono vantaggioso nella ricerca avanzata sui materiali nanostrutturali, nonché nello sviluppo e nella produzione di chip IC semiconduttori a nodo ad alta tecnologia.