Emissione di campo TEM | TH-F120

Microscopio elettronico a scansione a emissione di campo (FE-SEM) con colonne a fascio ionico focalizzato (FIB) Il microscopio elettronico a scansione a fascio ionico focalizzato CIQTEK DB550 (FIB-SEM) è dotato di una colonna a fascio ionico focalizzato per la nanoanalisi e la preparazione dei campioni. Utilizza la tecnologia ottica elettronica "super tunnel", bassa aberrazione e design dell'obiettivo non magnetico e ha la funzione "bassa tensione, alta risoluzione" per garantire le sue capacità analitiche su scala nanometrica. Le colonne ioniche facilitano una sorgente ionica di metallo liquido Ga+ con fasci ionici altamente stabili e di alta qualità per garantire capacità di nanofabbricazione. DB550 è una workstation di nano-analisi e fabbricazione all-in-one con un nano-manipolatore integrato, un sistema di iniezione del gas e un software GUI intuitivo.

Microscopio elettronico a scansione ad alta velocità per l'imaging su scala incrociata di Campioni di grandi volumi CIQTEK HEM6000 tecnologie per strutture come il cannone elettronico a corrente a fascio largo ad alta luminosità, il sistema di deflessione del fascio di elettroni ad alta velocità, la decelerazione dello stadio campione ad alta tensione, l'asse ottico dinamico e l'obiettivo combinato elettromagnetico ed elettrostatico a immersione per ottenere un'acquisizione di immagini ad alta velocità garantendo al tempo stesso una risoluzione su scala nanometrica. Il processo operativo automatizzato è progettato per applicazioni quali un flusso di lavoro di imaging ad alta risoluzione su grandi aree più efficiente e intelligente. La velocità di imaging può raggiungere oltre 5 volte più velocemente di un microscopio elettronico a scansione a emissione di campo convenzionale (FESEM).

La microscopia elettronica a scansione a emissione di campo ad altissima risoluzione (FESEM) sfida i limiti Il CIQTEK SEM5000X è un FESEM ad altissima risoluzione con design ottimizzato della colonna ottica elettronica, che riduce le aberrazioni complessive del 30%, ottenendo una risoluzione ultraelevata di 0,6 nm a 15 kV e 1,0 nm a 1 kV . La sua alta risoluzione e stabilità lo rendono vantaggioso nella ricerca avanzata sui materiali nanostrutturali, nonché nello sviluppo e nella produzione di chip IC semiconduttori a nodi ad alta tecnologia.

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